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R5013ANX
Transistors
100
V GS = 0V
10000
C is
15
Ta= 25°C
10
Pulsed
1000
10
V DD = 250V
I D = 13A
R G = 10
1
100
C rss
C oss
Pulsed
Ta=
125°C
0.1
Ta=
Ta=
Ta=
75°C
25°C
-25°C
10
Ta= 25°C
f= 1MHz
V GS = 0V
5
0.01
1
0
0
0.5
1
1.5
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
1000
100
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.10 Reverse Drain Current vs.
Sourse-Drain Voltage
Ta= 25°C
di / dt= 100A / μ s
10000
1000
100
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.11 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
Ta= 25°C
V DD = 250V
t f
V GS = 10V
R G = 10
Pulsed
t d(off)
TOTAL GATE CHARGE : Q g (nC)
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10
V GS = 0V
Pulsed
1
t r
t d(on)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1
REVERSE DRAIN CURRENT : I DR (A)
Fig.13 Reverse Recovery Time
vs.Reverse Drain Current
Ta = 25°C
Single Pulse : 1Unit
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.14 Switching Characteristics
0.1
Rth ch-a
t =
t ×Rth ch-a
Rth ch-a = 49.9°C/W
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH : Pw(s)
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse W idth
Rev.A
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